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US810DS TO-252 Diodos de alta eficiencia Yfw youfeng Weiyuan Factory

Diodos de alta eficiencia US810DS Especificaciones Precio Manual pdf - Guangdong youfeng Weiyuan Factory US810DS
TO-252_(yfwyoufengwei) marca

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Diodos de alta eficiencia

8.0 Ampere / TO-252(D-PAK)
TYPE	I_(AV)	V_RRM	I_FSM	V_FM		I _RM @ V_RRM	t_rr	Pafckage Outline
	I_(AV)	@I_RM	I_FSM	V_FM	I_(AV)	T_A=25℃
	A	V	A	V	A	μA
US802DS	8.0	200	160	0.95	8.0	1	50	TO-252
US804DS	8.0	400	160	1.25	8.0	1	50	TO-252
US810DS	8.0	1000	160	1.65	8.0	1	75	TO-252

Jiangsu youxin micro Semiconductor co., Ltd.

Consulta las 24 horas:+86-13650089053 Emma

Teléfono:+86-769-82730331 / +86-769-82730221

Email：yfwdiode@163.com

Sitio web oficial:https://www.yxwdiode.com

Dirección de la fábrica:Planta no. 9, taohuagang road, chunjiang town, Xinbei district, Changzhou city, Jiangsu Province

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